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高溫高濕反偏

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設備:高溫高濕測試系統HTXB GR3-D

廠商:閱芯科技

用途:要用于功率半導體器件的環(huán)境老化試驗,比如 Si/SiC/GaN 材料的 IGBT/DIODE/MOSFET/HEMT/BJT/SCR 等器件的 H3TRB 試驗。

測試標準:GB/T4937-1995 IV2 加速穩(wěn)態(tài)濕熱;JESD22-A101D Steady-State Temperature Humidity Bias Life Test;GJB 150.9A-2009GJB 1621.7A-2006;GJB 1060.2-1991

技術指標:

l  最大工作電壓2000V

l  測試溫度:室溫-180

l  ICES檢測范圍:0-98mA,分辨率0.1μA

l  濕度條件:10%-98%RH,空間均勻性<5%RH


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